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替代部分美系设备成功!长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片BD半岛
类别:行业资讯 发布时间:2024-11-21 07:57:26 浏览: 次
半岛综合体育长江存储在面临美国出口限制和被列入实体清单的双重压力下,已成功采用国产半导体设备替代部分美系设备。
长江存储自研Xtacking架构可让3D NAND的层数堆叠到232层,即使与美光、三星和SK海力士等知名制造商相比BD半岛,也具有极强的竞争优势。
据悉BD半岛,长江存储已经使用中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的沉积与蚀刻设备,以及拓荆科技的沉积设备,成功制造出3D NAND闪存芯片。
TechInsights称,虽然长江存储仍继续依赖ASML和泛林集团等外国供应商提供关键工具,但中国国产半导体设备供应商越来越多地承担了生产流程的大部分。
不过长江存储使用国产设备生产的最新NAND芯片在堆叠层数上做了相应的妥协BD半岛,比早期产品少了约70层,且产量较低。
对此长江存储在回应中表示,公司正在不断优化产品性能,层数变化与设备产量无关,随着制造工艺、流程及经验的不断成熟,会不断增加堆叠层数。